器件采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，額定電流5A~ 40A，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年6月28日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出16款新型第三代1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN肖特基(MPS)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有高浪涌電流保護(hù)能力，肖特基二極管低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。
日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括5A至40A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。二極管由于采用MPS結(jié)構(gòu)——利用激光退火背面減薄技術(shù)——二極管電容電荷低至28nC，正向壓降減小為1.35V。此外，器件25°C下典型反向漏電流僅為2.5µA，因此降低了導(dǎo)通損耗，確保系統(tǒng)輕載和空載期間的高能效。與超快恢復(fù)二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復(fù)拖尾，從而能夠進(jìn)一步提升二極管效率。
SiC二極管典型應(yīng)用包括FBPS和LLC轉(zhuǎn)換器AC/DC功率因數(shù)校正(PFC)和DC/DC超高頻輸出整流，適用于光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具、數(shù)據(jù)中心等。這些嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境中，器件工作溫度可達(dá)+175°C，正向額定浪涌電流保護(hù)能力高達(dá)260A。此外，D2PAK 2L封裝肖特基二極管采用高CTI³ 600的塑封料，確保電壓升高時(shí)優(yōu)異的絕緣性能。
器件具有高可靠性，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，通過2000小時(shí)高溫反偏(HTRB)測試和2000次熱循環(huán)溫度循環(huán)測試。
器件規(guī)格表：
新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為13周。 |
